三星和 IBM 最近宣布了一种用于半导体设计的新型垂直晶体管架构。与领先的半导体制造公司目前使用的按比例缩放的鳍式场效应晶体管 (finFET) 相比，这种新设计有可能将性能提高两倍或将能源使用量减少 85%。这种新的芯片设计将使智能手机的电池续航时间长达一周。
直到现在，晶体管都被制造成平放在半导体表面上。使用新的垂直传输场效应晶体管 (VTFET)，晶体管垂直于芯片表面构建，具有垂直或上下电流。
VTFET 工艺解决了许多性能障碍和限制，以扩展摩尔定律，因为芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间。它还影响晶体管的接触点，从而以更少的能量浪费获得更大的电流。
IBM 研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说：“今天的技术公告是关于挑战传统并重新思考我们如何继续推动社会进步并提供新的创新来改善生活、业务并减少我们对环境的影响 。” “鉴于该行业目前在多个方面面临限制，IBM 和三星正在展示我们对半导体设计联合创新的承诺以及对我们所谓的‘硬技术’的共同追求。”
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